三星西安半导体工厂投产 将产尖端闪存芯片

新华社记者陈钢 李华

西安(CNFIN.COM / XINHUA08.COM)--5月9日，韩国三星电子在西安高新区一期投资70亿美元的三星(中国)半导体有限公司竣工，开始生产世界上最先进的10纳米级“V-NAND”闪存芯片。

竣工投产的的三星西安半导体工厂于2012年9月开工建设，是中国改革开放以来引进的单笔投资额最大的外商投资项目。据介绍，V-NAND是三星电子自主研发的NAND闪存芯片的名称，将现有“平面构造”的半导体芯片改造为“3D垂直堆叠型结构”芯片，产品性能和容量都将得到提高。三星电子在西安同时建设的封装测试工厂有望于2014年末完成，构筑一条完整的半导体生产链。

三星电子表示，西安半导体工厂的正式投产，标志着其成功构建了由韩国(系统和存储半导体)，中国(存储半导体)以及美国(系统半导体)共同组成的“全球半导体三大生产基地体系”。特别值得一提的是，中国不仅是全球IT企业的生产基地，而且更占世界NAND闪存销量近半。能够直接在中国生产NAND闪存芯片，将使三星更有效率地应对市场的变化和顾客的需求。

两年来，作为改革开放以来西安最大的外商投资项目，三星西安半导体工厂的建设，加速了西安的国际化和丝绸之路新起点建设。

韩国驻西安总领事馆总领事全哉垣介绍，随着三星电子工厂和韩国配套企业落户西安，常住西安的韩国人数也由两年前的1000余人增至5000余人，去年访问陕西的韩国人数达25万余人，同比增长11%。

三星电子首席执行官、副会长权五铉在竣工典礼的贺词中也提到:“过去，以西安为起点的丝绸之路对东西方文明的交流起到了不可忽略的重要作用。我们希望今后，在中韩两国共同协力下诞生的西安半导体工厂，能够成为'21世纪数字丝绸之路’的新起点”。